He^＋、N^＋注入GaN的背散射和电学特性研究

来源 :原子能科学技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sophia_deng

【摘要】

：

采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的物理性质和结晶品质.研究了He+、N+注入所引起的GaN的电阻变化和与退火温度的关系.在不同温度下,氮气保护退火 30 min,用H

【作者】

：

周生强姚淑德焦升贤孙长春孙昌

【机构】

：

北京大学,北京大学

【出处】

：

原子能科学技术

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

GAN 背散射电学特性离子注入电阻率辐照损伤半导体改性氦离子氮离子 GaN ion implantation RBS/channeling

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采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的物理性质和结晶品质.研究了He+、N+注入所引起的GaN的电阻变化和与退火温度的关系.在不同温度下,氮气保护退火 30 min,用Hall法测量电阻率.测量结果表明:GaN 的电阻率增大7～8个数量级.在200～400 ℃下退火,电阻率变化最大.经高温(600～700 ℃)退火后,电阻率仍比注入前大3～4个数量级.

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