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提出了一种适用于复杂电路仿真分析的新型氮化镓(GaN)功率晶体管模型。对器件静态特性的主要影响因素源漏电流以及动态特性的主要影响因素极间寄生电容的非线性特性进行理论分析,并依此建立了器件的静态、动态特性模型。模型参数可以通过技术手册提供的器件输出特性、电容电压特性提取。在PSpice软件中建立等效电路,设计了感性负载开关电路,并将模型应用于器件的开关特性分析和缓冲电路设计。仿真和试验结果对比证明了模型的有效性。