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采用基于密度泛函理论的线性缀加平面波（FLAPW）方法，研究了3d族过渡金属元素Fe对III—V族半导体InP的电子结构和光学性质的调控机理，并对其能带结构和电荷密度分布进行了分析。结果表明，InP为直接带隙半导体，其价带主要由P．3s和3p态构成，而导带则由In-5s电子态构成。当Fe元素替代In原子后，由于Fe和P原子的轨道杂化作用，InP带隙中出现杂质态，Fe-3d态产生自旋极化效应。随着Fe的掺杂浓度增大，Fe—P原子之间轨道杂化作用明显增加，费米能级逐渐进入价带，这导致了材料的电子跃迁几率提高，