【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一原理方法计算了Si2N2O的电子结构和光学性质。能带结构分析表明Si2N2O是一种间接带隙的半导体材料,理论计算的带隙值为5.25 eV。另外,计算并分析
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采用基于密度泛函理论的第一原理方法计算了Si2N2O的电子结构和光学性质。能带结构分析表明Si2N2O是一种间接带隙的半导体材料,理论计算的带隙值为5.25 eV。另外,计算并分析了Si2N2O介电函数的虚部、实部以及折射率、消光系数、反射率、吸收系数和透光率。Si2N2O的静态介电常数和静态折射率的计算值分别为4.56和2.15。Si2N2O在紫外-可见-近红外光区的理论透光率的最大值为76.5%。
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