在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法

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【摘要】

：

分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺特点,在此基础上尝试了一种新的氮化方法处理衬底表面,并进行了一系列不同条件下的对比试验,以反射高能电子衍射(RHEED)和

【作者】

：

刘国涛徐茵顾彪秦福文周智猛

【机构】

：

大连理工大学

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

GAAS 氮化外延生长 GAN薄膜反射高能电子衍射 epitaxial growth GaN film RHEED

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分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺特点,在此基础上尝试了一种新的氮化方法处理衬底表面,并进行了一系列不同条件下的对比试验,以反射高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)对实验结果进行检测,发现在清洗的过程中加入一定量的氮可以避免单纯氢清洗对衬底的损伤,并取得了比较好的氮化效果.

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