【摘 要】
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通过背光照辅助电化学腐蚀的方法,在N型轻掺杂的（100）单晶硅上制备了多孔硅模板。模板孔端口呈类正方形结构,孔边长约为2μm,孔深约50μm。然后在制备的N型多孔硅模板中电沉积
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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通过背光照辅助电化学腐蚀的方法,在N型轻掺杂的（100）单晶硅上制备了多孔硅模板。模板孔端口呈类正方形结构,孔边长约为2μm,孔深约50μm。然后在制备的N型多孔硅模板中电沉积制备了磁性镍微米管。与绝缘性AAO模板中金属从孔底部开始生长不同,在半导体性质的N型多孔硅模板中,镍沿着孔壁均匀生长,并随着沉积时间的延长,由颗粒状逐渐生长为微米管,镍的晶型没有发生变化。由于镍微米管的缺陷和晶界比镍颗粒更少,畴壁位移更容易,所以具有更小的矫顽力。同时受强烈的退磁能影响,外加磁场在垂直和平行镍微米管方向时测得的磁滞回
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