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对SiC材料的抗氧化性能进行了试验，研究了该材料的氧化机制以及由被动氧化至主动氧化的转捩温度。结果表明，SiC材料在一定的氧分压环境中，表面温度低于转捩温度时，会在表面形成SiO2薄膜，薄膜厚度和时间的平方根成正比。表面温度高于转捩温度时材料发生主动氧化，材料表面发生烧蚀。
碳化硅材料被动氧化机理及转捩温度分析
【摘 要】
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对SiC材料的抗氧化性能进行了试验，研究了该材料的氧化机制以及由被动氧化至主动氧化的转捩温度。结果表明，SiC材料在一定的氧分压环境中，表面温度低于转捩温度时，会在表面形成Si
【机 构】
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中国航天空气动力技术研究院
【出 处】
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宇航材料工艺
【发表日期】
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2009年3期
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