【摘 要】
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在256k×1位结构的标准产品基础上,具有高速存取功能、作图象存贮器应用的64k×1位和32k×8结构等各种各样的第二代256k动态RAM正在研制成功。外围电路采用CMOS结构也很引人
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在256k×1位结构的标准产品基础上,具有高速存取功能、作图象存贮器应用的64k×1位和32k×8结构等各种各样的第二代256k动态RAM正在研制成功。外围电路采用CMOS结构也很引人注目。不久,这些产品除×1结构之外,将占256k RAM总数的30％。最引人注目的是周期时间小于50ns的静态列式CMOS型,以及供图象应用的双通道64k×4位产品的新应用研究。
On the basis of a standard product of 256k × 1 bit structure, a variety of second-generation 256k dynamic RAMs such as 64k × 1 bits and 32k × 8 structures for high-speed access and image memory are being developed . The use of CMOS peripheral circuit structure is also very compelling. Soon, these products will account for 30% of the total 256k of RAM in addition to the × 1 structure. The most notable are the static column CMOS types with less than 50ns cycle time and new applications for dual-channel 64k × 4-bit products for imaging applications.
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