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本文利用全量子理论推导了半导体中多光子吸收跃迁率的一般表达式，对各种模型计算了本征ＧａＡｓ在λ＝２．０６μｍ下的三光子吸收系数，实验上采用非线性光电导和非线性光透射技术，测量了ＧａＡｓ中三光子吸收系数。
GaAs半导体中三光子吸收的研究
【摘 要】
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本文利用全量子理论推导了半导体中多光子吸收跃迁率的一般表达式，对各种模型计算了本征ＧａＡｓ在λ＝２．０６μｍ下的三光子吸收系数，实验上采用非线性光电导和非线性光透射技术，测量了ＧａＡｓ中三光子吸
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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1995年2期
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