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具有超强垂直磁各向异性的L10-MnxGa薄膜由于其与半导体材料结构及工艺的高度兼容性而受到广泛关注,其超高垂直磁各向异性能和极低的磁阻尼因子预示着L10-MnxGa薄膜在高热稳定性自旋电子学器件中将发挥重要作用.而L10-MnxGa超薄膜对于降低L10-MnxGa基垂直磁各向异性隧道结中的磁矩翻转临界电流密度有着重要的意义.本文采用分子束外延的方法,在半导体GaAs衬底上成功制备出了一系列不同厚度的L10-Mn（1.67）Ga薄膜,厚度范围为1—5 nm.生长过程中反射式高能电子衍射原位检测以及X射线衍