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结合集成电路后端设计流程,以美国MOSIS多项目晶圆(MPW)计划提供的台湾半导体制造公司(TSMC)的0.35微米CMOS工艺为例,对基于Cadence平台,开发用于高频、高速模拟和模数混合集成电路设计的设计套件(Design Kit)进行了讨论.
基于Cadence平台深亚微米CMOS工艺设计套件开发
【摘 要】
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结合集成电路后端设计流程,以美国MOSIS多项目晶圆(MPW)计划提供的台湾半导体制造公司(TSMC)的0.35微米CMOS工艺为例,对基于Cadence平台,开发用于高频、高速模拟和模数混合集
【机 构】
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东南大学射频与光电集成电路研究所
【出 处】
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电气电子教学学报
【发表日期】
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2001年4期
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