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利用AFM研究了在不同衬底温度及蒸发条件下制备的有机半导体材料PTCDA在P—Si（100）形成的薄膜讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长温度之间的机理。
PTCDA／P—Si表面随温度变化的AFM研究
【摘 要】
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利用AFM研究了在不同衬底温度及蒸发条件下制备的有机半导体材料PTCDA在P—Si（100）形成的薄膜讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长温度之间的机理。
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2006年3期
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