MPCVD法AlN基体上金刚石薄膜的制备

来源 :武汉工程大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zwb19860

【摘要】

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以丙酮和氢气作气源,采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）在AlN表面制备金刚石薄膜,并通过拉曼光谱（Raman）,扫描电子显微镜（SEM）对沉积得到的金刚石薄膜进行表征.研究表明：直接在

【作者】

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湛玉龙付秋明马志斌

【机构】

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武汉工程大学材料科学与工程学院、武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室

【出处】

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武汉工程大学学报

【发表日期】

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2011年1期

【关键词】

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ALN 金刚石薄膜丙酮 MPCVD AtN diamond film acetone MPCVD

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以丙酮和氢气作气源,采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）在AlN表面制备金刚石薄膜,并通过拉曼光谱（Raman）,扫描电子显微镜（SEM）对沉积得到的金刚石薄膜进行表征.研究表明：直接在AlN表面沉积因金刚石的形核密度很低而很难得到连续的金刚石薄膜.利用金刚石微粉研磨AlN表面有利于金刚石形核密度的提高,Raman分析和电镜观察发现：所得的金刚石薄膜存在杂质和缺陷,没有明显的刻面特征,而且是由粒径较大的球状颗粒堆积而成.

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