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,A Forming-Free Bipolar Resistive Switching in HfOx-Based Memory with a Thin Ti Cap
【机 构】
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Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084 “,”Innovation Center for MicroNan
【出 处】
：
中国物理快报（英文版）
【发表日期】
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2014年10期
其他文献
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,Experimental Demonstration of a Displacement Measurement of an Optical Beam beyond the Quantum Nois
期刊
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