【摘 要】
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薄膜晶体场效应管制造过程中,一般采用干法刻蚀(Dry Etch)方式开出设计过孔(Via hole)宽幅和合适的坡度角(Profile).干法蚀刻过程中功率(Power)、压力(Pressure)、蚀刻气体流
【机 构】
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薄膜晶体场效应管制造过程中,一般采用干法刻蚀(Dry Etch)方式开出设计过孔(Via hole)宽幅和合适的坡度角(Profile).干法蚀刻过程中功率(Power)、压力(Pressure)、蚀刻气体流量比例(CF4/O2)等工艺参数对非金属薄膜的坡度角(Taper Angle)造成不同程度影响,本文主要研究蚀刻功率、压力、气体流量及气体流量比例对二氧化硅(SiO2)薄膜角度相关性研究.实验结果发现随之四氟化碳(CF4)与氧气(O2)流量比例降低,蚀刻后二氧化硅坡度角随之降低,其中CF4/O2流量在600sccm/1000sccm和800sccm/1000sccm均能制备出较佳的接触角.探讨这些因素的作用机理,为TFT-LCD生产提供合适的干刻工艺窗口.
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