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利用n型氧化锌和p型硫化亚锡制备ITO／ZnO／SnS／Al结构的pn结太阳能电池．首先采用射频磁控溅射法在ITO衬底上制备ZnO薄膜，再用真空蒸发镀膜法沉积SnS薄膜以形成异质结，并利用X射线衍射（X—ray diffraction，XRD）光谱、透射光谱和I-V曲线来表征薄膜和器件的性能．讨论在不同溅射功率和工作气压下制备的ZnO薄膜对光吸收情况和所形成异质结器件的影响，测量不同沉积时间制备的ZnO薄膜相应的器件的开路电压、短路电流密度和填充因子．结果表明，当工作气压和溅射功率分别为0．2Pa和150