基于Ag/SiNWs肖特基势垒二极管的I-V温度特性研究

来源 :鲁东大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：caressliu

【摘要】

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主要讨论了Ag/SiNWs肖特基势垒二极管（SBD）的I-V-T特性.常温（T=300 K）下,Ag/SiNWs SBD的理想因子为3.9,零偏压下的势垒高度ΦB为0.957 eV.在一定反向偏压（-0.1—-9 V）下,通过Ag/SiN

【作者】

：

马殿飞张健唐旸

【机构】

：

华东师范大学信息学院电子工程系

【出处】

：

鲁东大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2010年4期

【关键词】

：

硅纳米线表面修饰肖特基势垒二极管伏安特性 SiNWs surface modification SBD IV characteristic

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主要讨论了Ag/SiNWs肖特基势垒二极管（SBD）的I-V-T特性.常温（T=300 K）下,Ag/SiNWs SBD的理想因子为3.9,零偏压下的势垒高度ΦB为0.957 eV.在一定反向偏压（-0.1—-9 V）下,通过Ag/SiNWsSBD的反向电流（Js）随着温度（T）的升高明显增大,ln｜Js｜与-1000/T呈线性关系,当反向偏压为2.1 V左右时,其斜率最大为5.433.

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