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研究了高压sj—nLDMOS器件中的一种特殊的电流饱和现象一准饱和效应。利用仿真工具SILVACO，对三维nLDMOS器件进行仿真，并从准漏极电压仉’和漂移区耗尽层入手，研究了准饱和效应的物理机制。与常规双RESURF—nLDMOS器件相比，在不改变器件击穿电压的情况下，降低了器件的导通电阻，大幅度提高器件的开态准饱和电流。