ZnO薄膜表面和边缘的发光特性

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liusiyu111
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究了分子束外延方法生长的ZnO薄膜的光学特性,首先测量样品反射光谱,然后重真研究其光致发光光谱。实验中通过改变激发光的强度,以及采用波导配置和不同的实验几何配置等手段,观察到了ZnO薄膜中起源于激子-激子散射和电子-空穴等离子体复合发光的受激辐射,同时观察到两种配置下自发辐射谱中存在巨大的差异。通过对实验数据和理论计算结果的分析,初步认为造成了从ZnO薄膜表面和侧面得到的PL谱之间的显著区别原因有两种:一是非对称薄膜波导的吸收损耗造成的波长选择效应,二是薄膜波导对掠出射光的类似薄膜微腔的微腔效应。
其他文献
采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用x射线衍射及紫外一可见吸收和透射光谱研究了氧分压变化对ZnO薄膜的微观结构及光吸收特性的影
研究了在蓝光芯片加黄色荧光粉制备白光LED方法中,色坐标位置对光通量的影响。在同样蓝光功率条件下,我们对标准白光点(色坐标x=0.33±0.05,y=0.33±0.05)附近不同色坐标位置
以乙酸锌为原料,采用机械力固相化学反应法制备纳米ZnO:Eu^3+红色荧光粉。利用TG-DSC,XRD,SEM及荧光光谱对其结构、形貌和荧光性能进行表征。结果表明:所得的样品为纳米级红色荧光
结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道Si衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量Si衬底
采用固相反应法合成了Eu^3+掺杂的α-Gd2(MoO4)3荧光粉。通过XRD、SEM以及激发和发射光谱对样品进行了研究,结果发现助熔剂为3%时样品的结晶较好,样品的发光强度最强,并且样品粉末不
通过共蒸镀空穴传输材料TPD和电子传输材料Alq3,在普通双层器件的异质结界面引入了均匀互混层,并研究了互混层的厚度变化对器件光电性能的影响。互混层的引入在一定程度上改善
以高纯ZnS粉末为基质,采用高温转相、扩散,以及表面涂敷工艺,制得了^147Pm激发的ZnS:Cu,Cl发光粉。分析了ZnS:Cu,Cl的晶体结构,测量了ZnS:Cu,Cl的激发光谱、发射光谱、发光亮度。其晶体
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构
在功能染料中,由于花四酰二亚胺独特的光学及光物理性质,引起了人们广泛重视,但是制备-维茈四酰二亚胺结构尚是一种挑战。合成了二(正丁基)茈四酰二亚胺衍生物,通过对溶剂的选择,用
合成了以对叔丁基杯[8]芳烃(LH8)、硝酸根及DMF为配体,单一稀土RE^3+(Sm^3+、Eu^3+、Tb^3+、Dy^3+)及混合稀土Tb^3+:Ln^3+(Ln=La^3+,Gd^3+,Y^3+)为中心的7种稀土配合物,对其进行了元素分析、摩尔电