【摘 要】
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研究利用纳米压印技术在氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）表面制备二维光子晶体结构对器件出光的影响.利用聚合物（IPS）软模板二次压印技术,在样品表面形成较为完整的掩膜,通过感应耦合
【机 构】
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厦门大学物理与机电工程学院,厦门大学化学化工学院
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研究利用纳米压印技术在氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）表面制备二维光子晶体结构对器件出光的影响.利用聚合物（IPS）软模板二次压印技术,在样品表面形成较为完整的掩膜,通过感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺分别在p-GaN层与ITO层成功制备了较大面积的光子晶体结构,结构周期为465nm,孔状结构直径为245nm.制成芯片后对样品进行测试,结果表明在LED表面制备二维光子晶体结构会导致LED芯片光谱峰值位置发生偏移,同时在p-GaN层制备二维光子晶体结构能够将LED芯片的发光强度提高39%,而在ITO
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