半导体量子点中双激子的双光子共振吸收

来源 :北京师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chaoyuemengxiang2009

【摘要】

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从基本的非线性光学三阶极化率出发,分析半导体量子点中双激子的双光子共振吸收三阶极化率,得到2个入射频率光电场和只有1个入射频率光电场的简并情况下双光子共振吸收三阶极

【作者】

：

田强沈娇艳杨永刚刘国才祝亚

【机构】

：

北京师范大学物理学系,铜仁师范高等专科学校

【出处】

：

北京师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

半导体量子点双激子三阶极化率双光子共振吸收 semiconductor quantum dots biexciton third-order susc

【基金项目】

：

教育部高校骨干教师资助计划

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从基本的非线性光学三阶极化率出发,分析半导体量子点中双激子的双光子共振吸收三阶极化率,得到2个入射频率光电场和只有1个入射频率光电场的简并情况下双光子共振吸收三阶极化率,讨论了三阶极化率的实部和虚部在双光子共振频率附近的行为,随着共振频率宽度的增大,三阶极化率的实部和虚部很快减小,三阶极化率敏感地依赖于共振频率宽度的大小.

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