【摘 要】
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本文报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段小型化高增益载片式功率放大器。该功率放大器采用GaN功率单片集成电路工艺与微波混合集成电路工艺相结合的电路形式,采用两
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本文报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段小型化高增益载片式功率放大器。该功率放大器采用GaN功率单片集成电路工艺与微波混合集成电路工艺相结合的电路形式,采用两级放大电路拓扑,正负电源结构设计。模块采用铜-钼-铜(CMC)载板实现,有效实现了模块的高效率、小型化和低成本。铜-钼-铜(CMC)载板尺寸8 mm×6.6 mm×1.6 mm,测试表明,该模块在5.2~5.8 GHz频段内,28 V工作电压、连续波工作条件下,功率输出大于47 dBm、功率增益大于28 dB、
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