【摘 要】
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当前,尽管集成电路制造工艺不断提高,但由于器件的不断缩小,受到量子效应的限制,业界遇到了可靠性低、功耗大等瓶颈,微电子行业延续了近50年的“摩尔定律”将难以持续.因此,寻求从材料到系统的各个层面探究突破集成电路性能瓶颈的方案是亟待解决的关键科学问题.自旋电子学有望突破上述瓶颈,已成为后摩尔时代集成电路领域的关键技术之一.1988年巨磁阻效应的发现标志着自旋电子学的诞生,并带来了信息存储领域的快速发展.由于在自旋电子学领域的杰出贡献,艾尔伯-费尔和皮特-葛伦伯格两位教授荣获2007年诺贝尔物理学奖.磁性材料
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当前,尽管集成电路制造工艺不断提高,但由于器件的不断缩小,受到量子效应的限制,业界遇到了可靠性低、功耗大等瓶颈,微电子行业延续了近50年的“摩尔定律”将难以持续.因此,寻求从材料到系统的各个层面探究突破集成电路性能瓶颈的方案是亟待解决的关键科学问题.自旋电子学有望突破上述瓶颈,已成为后摩尔时代集成电路领域的关键技术之一.1988年巨磁阻效应的发现标志着自旋电子学的诞生,并带来了信息存储领域的快速发展.由于在自旋电子学领域的杰出贡献,艾尔伯-费尔和皮特-葛伦伯格两位教授荣获2007年诺贝尔物理学奖.磁性材料
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