凹栅AlGaN/GaN HFET

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sfgidtfdxv

【摘要】

：

研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小

【作者】

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张志国冯震杨梦丽冯志红默江辉蔡树军杨克武

【机构】

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中国电子科技集团公司第十三研究所,专用集成电路国家级重点实验室,西安电子科技大学微电子学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年9期

【关键词】

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ALGAN/GAN HFET 凹栅高电压高功率密度 AlGaN/GaN HFET recessed gate high voltage high po

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研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小到1.7,栅极漏电减小一个数量级.在频率为8GHz时,负载牵引系统测试显示,当工作电压增加到40V,输出功率密度达到11.74W/mm.

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