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通过醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯分别制备独立稳定的前驱单体,采用Sol-Gel反提拉涂膜技术在基片Pt/Ti/SiO2/Si上制备PZT铁电薄膜.本文讨论了制备工艺对薄膜质量的影响,比较了在不同的退火速率,退火温度及退火气氛工艺中,制备的PZT铁电薄膜结构、性能的差异,并对其形成原因进行了分析.
反提拉Sol-Gel法制备PZT薄膜及热处理工艺对薄膜性能结构影响的研究
【摘 要】
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通过醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯分别制备独立稳定的前驱单体,采用Sol-Gel反提拉涂膜技术在基片Pt/Ti/SiO2/Si上制备PZT铁电薄膜.本文讨论了制备工艺对薄膜质量的影响,比较了在
【机 构】
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电子科技大学微固学院
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2004年5期
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