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利用Silvaco软件模拟全耗尽SOI n沟道MOSFET器件的自加热效应。在温度300～500K、栅偏压2～10V范围内研究了该器件的ID-VD特性和器件的温度分布规律。在低温和高栅偏压时,SOI结构中自加热效应明显。此现象归因于低温和高栅偏压时,SOI n-MOSFET中的漏电流密度大,热载流子使晶格升温迅速。