【摘 要】
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本文以水玻璃为硅源，利用超临界CO2（scCO2）技术制备出超细SiO2粉体，研究了压力、温度对超细SiO2粒子粒径和Zeta电位的影响，采用Zeta电位及激光粒度分析仪、X射线衍射（XRD）、自动吸附
【机 构】
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四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地,中国工程物理研究院化工材料研究所
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本文以水玻璃为硅源，利用超临界CO2（scCO2）技术制备出超细SiO2粉体，研究了压力、温度对超细SiO2粒子粒径和Zeta电位的影响，采用Zeta电位及激光粒度分析仪、X射线衍射（XRD）、自动吸附仪等测试方法对粉体的结构和性能进行了分析表征。结果表明：当压力为8NPa，温度为50℃时，所得超细SiO2粒子粒径分布较窄且平均粒径最小，为472．9nm，且Zeta电位取得较小值，为-55．68mV；所得超细SiO2粒子属于非晶态，且与市售的T36—5SiO2粒子相比，其孔结构更加致密。
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