【摘 要】
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设计了一种用于MEMS传感器电容读出的频率可调的正弦波振荡器。振荡器采用OTA－C结构，通过调节工作于线性区的MOS管的漏源电压来改变OTA的gm，从而实现对频率的调节。振荡器可输出
【机 构】
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北京大学微电子学研究院、微米/纳米加工技术国家重点实验室
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设计了一种用于MEMS传感器电容读出的频率可调的正弦波振荡器。振荡器采用OTA－C结构，通过调节工作于线性区的MOS管的漏源电压来改变OTA的gm，从而实现对频率的调节。振荡器可输出四路相位分别为90°，180°，270°和360°的振荡信号。芯片在0．5μm2P3M CMOS工艺下设计并流片，测试表明在5V电源电压下振荡频率在180KHz～1．2MHz之间线性可调，振荡频率对于电源电压变化的灵敏度为8．1％／V。
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