士兰微电子推出新一代高压MOSFET——F—CeIITM系列

来源 :中国集成电路 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gaolch005

【摘要】

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士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——F—cell^TM系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品，工作电压可以覆盖400V-900V区间，工

【出处】

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中国集成电路

【发表日期】

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2011年4期

【关键词】

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MOSFET 微电子高压平面结构自主研发工作电压工作电流高可靠性

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士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——F—cell^TM系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品，工作电压可以覆盖400V-900V区间，工作电流在1A-18A之间，可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，

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