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目的
探讨精神分裂症首次发病患者错误相关负电位（ERN）的变化特征。
方法应用德国Brain Products公司的事件相关电位记录与分析系统，以改良后的视觉Erikson Flanker范式为刺激材料，对58例首次发病精神分裂症患者（患者组）和62名对照者（对照组）进行ERN检测，比较2组间ERN潜伏期与波幅的差异。
结果（1）患者组的正确反应次数（476.59±162.47）次，明显低于对照组（641.27±154.58）次，t=5.69,P<0.01；正确反应和错误反应的反应时与对照组比较差异无统计学意义。（2）与对照组比较，患者组ERN潜伏期在Cz［（58±14） ms∶（49±13） ms; t=3.63，P<0.01］、Fz［（60±11） ms∶（47±13） ms；t=5.91，P<0.01］、C3［(57±17) ms∶(50±14) ms； t=2.43，P<0.05］和C4［（60±13） ms∶(51±12) ms；t=4.08，P<0.01］上明显延迟，波幅在Cz［(5.0±2.8) μV∶( 7.5±3.1) μV; t=4.73，P<0.01］、C3［(5.5±4.0) μV∶(8.0±3.7) μV; t=3.58，P<0.01］、Fz［(5.0±3.1) μV∶(7.7±3.8) μV; t=4.24，P<0.01］、Pz［(4.5±3.3) μV∶(7.5±3.0) μV; t=5.17，P<0.01］较对照组低。（3）ERN潜伏期和波幅变化与阳性症状分和PANSS总分之间未见显著性相关。
结论精神分裂症首次发病患者的ERN潜伏期和波幅异常，可能反映了本组患者内在错误监控机制存在缺陷。