【摘 要】
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超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能.为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
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超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能.为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱.优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低发散角850 nm超辐射发光二极管.采用直波导吸收区而后在器件的出光腔面上镀制抗反射膜的方法制作超辐射发光二极管.器件在140 mA时器件半峰全宽(FWHM)可以达到26 nm,室温下连续输出功率达到7 mW.器件的垂直发散角为28°,水平发散角为10°.由于器件具有比较小的发散角,与光纤耦合时具有比较高的耦合效率,单模保偏光纤耦合输出功率达到1.5 mW.
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