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本文针对P型掺硼硅单晶电阻率超合同范围问题,分析并确定了电阻率超的原因是氧施主的补偿,分析了氧施主的来源及消除机理,提出了几种解决方案;分析了几种方案的可行性,选择了最经济、最方便的方案——低炉压下拉制P型太阳能硅单晶,通过增大Si O的挥发,达到降低氧施主浓度及补偿度的目的。通过实验,验证了低炉压工艺是一种行之有效的消除氧施主的方法。