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使用高阻Si材料，通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器－－PIN二极管，采用HC1氧化、慢降温等工艺措施可以减小PIN二极管的暗电流（反向电流），这对于提高器件性能起到了关键作用。电压为－5V时，探测器的暗电流可达nA/cm^2量级，讨论了器件暗电流与少子寿命的关系。
平面工艺辐射探测器的研制
【摘 要】
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使用高阻Si材料，通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器－－PIN二极管，采用HC1氧化、慢降温等工艺措施可以减小PIN二极管的暗电流（反向电流），这对于提高器件性能起到了关
【机 构】
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北京大学微电子所,北京大学物理所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年3期
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