65 nm FPGA中基于位宽选择的高速Block RAM设计

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针对高性能现场可编程门阵列(FPGA)应用中数据存储交换的高速、多种位宽配置需求,本文设计了一种基于数据位宽可调整的高速Block RAM,并将其嵌入自主研发的FPGA芯片中.在该FDP15芯片中,BlockRAM采用65 nm的1P10M层金属,核电压1.2 V CMOS工艺技术,可以实现1 bitx 16k,2 bitsx8k,4 bitsx4k不带校验位和9 bitsx2k.18 bitsx1k,36 bitsx 512带有校验位的6种位宽选择模式,3种写入模式的双端口独立工作.文中针对位宽配置选择
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