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对Cu-Al合金的内氧化及冷却过程中Cu的氧化行为进行了热力学分析和实验研究，据此确立了Cu2O粉末和氮基气氛共同作为内氧化介质的新工艺。结果表明，内氧化区是择优氧化区中上限氧分压下方的一个很小区域，其中上限氧分压由下式计算，lgPo2上=-(17611)/(T)+12.91；内氧化介质、氧分压和温度是实际内氧化控制的三要素；内氧化过程中晶内生成了均匀弥散分布的纳米γ-A12O3粒子，其平均尺寸和颗粒间距分别为7nm和30nm。降温过程中Cu的氧化不容忽视，通H2急冷可明显提高材料性能。