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基于改进的电化学腐蚀法,来制备扫描隧道显微镜的探针。在探针针尖形成的瞬间,通过断开电解液和针尖的直接接触有效地解决了尖端原子被残余电量二次腐蚀的问题;并利用液膜表面张力作用对探针进行修饰,来提高其针尖的尖锐程度。将修饰后的探针用于STM扫描,得到了清晰的Ga As（001）表面原胞排列图像,结果表明该方法所修饰的探针可用于低维半导体材料表面形貌和表面重构的研究。