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双光栅外腔半导体激光器压窄技术的研究
双光栅外腔半导体激光器压窄技术的研究
来源 :光电子技术与信息 | 被引量 : 0次 | 上传用户:war_and
【摘 要】
:
介绍了利用双光栅外腔结构对650 nm半导体激光器输出激光进行选模、线宽压窄及波长调谐的研究.获得了最窄线宽<0.01 nm的单纵模激光输出,实现了波长调谐范围约8.4 nm.
【作 者】
:
董兆辉
王宏杰
隋金龄
田晓洁
吕福云
【机 构】
:
南开大学物理科学学院
【出 处】
:
光电子技术与信息
【发表日期】
:
2004年1期
【关键词】
:
半导体激光器
双光栅外腔
线宽压窄
波长调谐
semiconductor laser
double-grating external cavity
line
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介绍了利用双光栅外腔结构对650 nm半导体激光器输出激光进行选模、线宽压窄及波长调谐的研究.获得了最窄线宽<0.01 nm的单纵模激光输出,实现了波长调谐范围约8.4 nm.
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