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用Raman光散射的方法,观察了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列多层膜退火处理后的备Raman峰的变化,对其峰形、峰位及峰强的变化进行讨论分析.实验结果显示:Ge/Si多层膜经700℃热处理10min后,能改善各层的晶体质量,得到较完整的多层膜的结构.
Ge／Si多层膜热稳定性的Raman光谱研究
【摘 要】
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用Raman光散射的方法,观察了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列多层膜退火处理后的备Raman峰的变化,对其峰形、峰位及峰强的变化进行讨论分析.实验结果显示:Ge/Si多层膜经700℃热
【机 构】
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云南大学材料科学与工程系
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2001年4期
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