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自洪朝生在1950年首次提出半导体中的杂质能带的概念以来,各国在这方面已经进行了许多理论和实验的研究。最近为了解释掺硅的GaAs与掺锌的GaAs在发光特性上的巨大差别(表1)而进一步发展了这一概念。
P型砷化镓中补偿程度对杂质能带的影响
【摘 要】
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自洪朝生在1950年首次提出半导体中的杂质能带的概念以来,各国在这方面已经进行了许多理论和实验的研究。最近为了解释掺硅的GaAs与掺锌的GaAs在发光特性上的巨大差别(表1)而
【机 构】
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北京大学物理系发光管组
【出 处】
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国外发光与电光
【发表日期】
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1979年Z1期
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