【摘 要】
：
通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性、各节点电流、电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化,探讨了引起运放电特性退化的主要原因.结果显示,由于差分
【机 构】
：
中国科学院新疆物理研究所,西安微电子技术研究所
论文部分内容阅读
通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性、各节点电流、电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化,探讨了引起运放电特性退化的主要原因.结果显示,由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称,在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配,是导致运放电参数发生剧变的根本原因.对CMOS运放电路来说,电路结构的匹配及MOSFET单管I-V特性的优劣,是决定运放抗辐射能力的
其他文献
利用具有原子分辨的扫描隧道显微镜(STM)不仅可以观测单个荷能粒子(离子或中性粒子)在高定向热解石墨(HOPG)表面产生的孤立损伤形貌,而且可以通过测量和统计得到大量损伤的单
将50个古汝瓷、古钧瓷和仿古瓷的釉和胎等样品进行中子活化分析,测定每个样品的36种微量元素含量,将这些测量数据进行模糊聚类分析,得到动态聚类图,以确定它们的分类和材料来
利用β发射体核素剂量点核函数经验公式计算体外照射培养细胞实验中所使用的32P放射性贴片在组织等效介质(聚乙烯)中的吸收剂量作为标准剂量刻度,用放射自显影方法得出剂量-
为探讨153Sm-EDTMP(153钐-乙二胺四亚甲基膦酸)与云克(99Tc-MDP,即99锝-亚甲基二膦酸盐)联合治疗转移性骨肿瘤疼痛的临床价值.对210例癌骨转移患者分别用153Sm-EDTMP单独治疗
采用康普顿抑制谱仪和三参数γ-γ-T符合系统对188Re衰变进行了仔细的研究.数据分析表明,810keV、1463keV、1936keV、557keV、1867keV、2022keV这6条γ射线以及1443keV、1936
采用高灵敏度野外X荧光分析系统,对四川会理小青山铜矿进行了勘探.实验结果表明,该系统体积小、重量轻,能够在原位同时测量多种元素,对Fe、Cu、Co、Ni、Zn、Pb、As等元素的分
用屏栅电离室测量了10B(n,α)7Li反应出射α粒子的角分布和总截面.实验结果表明:入射中子能量为4-6.5 MeV时,出射的α粒子角分布明显后倾,且后倾趋势随入射中子能量的增加而
介绍了一种利用γ射线穿过介质后强度衰减的规律在线测量原油含水率的仪表.给出了仪表的结构、工作原理、新的温度补偿模型、主要技术指标及现场测试数据.本仪表把单片机部分
为评价2-亚氨基噻吩盐酸盐(2-IT)法标记的抗结肠癌(CEA)单克隆抗体99mTc-C50的生物学性能及标记化合物应用的安全性,采用2-IT法对C50化学修饰,以99mTc-GH转络合法标记C50.对
在多层结构复合材料获得广泛应用的今天，对其分层结构，密度分布等情况的检测和了解显得尤为重要。在用射线对这类材料进行分层成像检测时，一直存在重建图像质量与重建效率（耗时）的