【摘 要】
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针对基于经典动力学理论传统模型中忽略扩散效应的问题,通过对基于玻尔兹曼理论的场效应管传输线模型的理论分析,建立了包含扩散效应的太赫兹互补金属氧化物半导体（CMOS）场效应
【机 构】
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北京理工大学光电学院,首都师范大学物理系
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针对基于经典动力学理论传统模型中忽略扩散效应的问题,通过对基于玻尔兹曼理论的场效应管传输线模型的理论分析,建立了包含扩散效应的太赫兹互补金属氧化物半导体（CMOS）场效应管探测器理论模型,研究扩散效应对场效应管电导及响应度的影响.同时,将此模型与忽略了扩散效应的传统模型进行了对比仿真模拟,给出了两种模型下的电流响应度随温度及频率变化的差别.依据仿真结果,并结合3σ 原则明确了场效应管传输线模型中扩散部分省略的依据和条件.研究结果表明：扩散部分引起的响应度差异大小主要由场效应管的工作温度及工作频率决定.其中
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