【摘 要】
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由于导通电阻与击穿电压之间的矛盾关系,肖特基二极管（SBD）不能够应用于高压功率领域。为了改善导通电阻与击穿电压之间的关系,提出了半超结理论及其设计方法。通过对器件结构
【机 构】
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贵州大学理学院电子科学系,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
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由于导通电阻与击穿电压之间的矛盾关系,肖特基二极管（SBD）不能够应用于高压功率领域。为了改善导通电阻与击穿电压之间的关系,提出了半超结理论及其设计方法。通过对器件结构参数进行计算和优化,构成了一种实现半超结SBD的工艺方法,并利用Silvaco TCAD软件进行仿真验证。结果表明,利用该优化方案,可以得到击穿电压为500V,导通电阻为37mΩ·cm2的半超结SBD器件。
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