【摘 要】
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采用熔炼和热压烧结制备了合金Si 80 Ge 20 P 3,Si和Ge中添加P实现N型掺杂,熔炼实现Si和Ge合金化,热压烧结使合金Si 80 Ge 20 P 3成型.对合金Si 80 Ge 20 P 3进行XRD,SEM及ED
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采用熔炼和热压烧结制备了合金Si 80 Ge 20 P 3,Si和Ge中添加P实现N型掺杂,熔炼实现Si和Ge合金化,热压烧结使合金Si 80 Ge 20 P 3成型.对合金Si 80 Ge 20 P 3进行XRD,SEM及EDS表征并进行电导率、Seebeck系数、热导率等热电参数测试.结果表明,制备的Si 80 Ge 20 P 3结构致密、硅锗分布均匀,合金化完全,实现了杂质P的有效掺杂.Si 80 Ge 20 P 3具有较佳的热电性能,热导率κ随温度升高而降低,在800℃时为2.6 W/(m
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