0.8μm高压BCD电路漏电失效改善

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0.8μm高压BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)电路存在漏电失效,其失效原因是IMD(Inter-Metal Dielectric)平坦化不良,造成金属2残留短路.通过SOG(spin-on-glass)二次平坦化工艺,大幅改善了IMD的平坦化效果,将平坦化因子由0.35提升到0.90,杜绝了金属2残留,较好地解决了漏电问题,提高了电路成品率.
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