熔融盐法制备CuCl2-石墨层间化合物及形成机理

来源 :华南理工大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wan6415383aa
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通过熔融盐法制备CuCl2插层的石墨层间化合物(CuCl2-GICs),探讨了加热时间、反应物配比对CuCl2-GIC产物的阶结构、表面形貌及导电性的影响.结果表明,产物含有主阶为1阶的混阶石墨层间化合物和一定量的石墨;延长反应时间有助于增强插层效果;反应物配比对产物的阶结构组成影响较小.插层后的石墨发生了膨胀,在片层的边缘分布着较多的CuCl2颗粒;制备的CuCl2-GICs中CuCl2为非化学计量比,其中[Cl-]离子不足.CuCl2-GICs的电导率较石墨原料有所提升,最大提升80%.
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