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CdSe是Ⅱ-Ⅵ族半导体材料中一种重要的半导体材料．它有闪锌矿和纤锌矿两种不同的结构，带隙较窄．具有优良的电光特性和广泛的应用前景，得到了人们的广泛关注。Shan等人实验上采用金刚石压砧技术研究了纤锌矿结构的CdSe基本带隙的压变效应，并且合理分析了压力影响下的光子跃迁行为。
CdSe的电子结构和光学性质研究
【摘 要】
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CdSe是Ⅱ-Ⅵ族半导体材料中一种重要的半导体材料．它有闪锌矿和纤锌矿两种不同的结构，带隙较窄．具有优良的电光特性和广泛的应用前景，得到了人们的广泛关注。Shan等人实验上采用
【机 构】
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宿迁学院,南京信息工程大学数理学院
【出 处】
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无机化学学报
【发表日期】
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2009年10期
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