论文部分内容阅读
导出了相变活化能E与加热速率φ和峰值温度Tp的关系表达式．用差示扫描量热分析法，研究了InN半导体纳米晶在不同加热速率条件下由室温立方相向高温六方相转变的特征参数Tp，然后根据导出的关系表达式和实验数据，计算所得的InN半导体纳米晶由立方相转变为六方相的相变活化能为E=1．3466×103kJ／mol。