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用引上法生长Ｙｂ：ＹＡＧ晶体，确定了合适的退火工艺，研究了Ｙｂ：ＹＡＧ晶体中Ｙｂ＾３＋的光谱性能双及晶体缺陷对Ｙｂ＾２＋光谱性能的影响。
Yb：YAG晶体的制备与光谱特性
【摘 要】
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用引上法生长Ｙｂ：ＹＡＧ晶体，确定了合适的退火工艺，研究了Ｙｂ：ＹＡＧ晶体中Ｙｂ＾３＋的光谱性能双及晶体缺陷对Ｙｂ＾２＋光谱性能的影响。
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1997年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金,国家科委863高科技项目
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