温度导向法制备氟化镧掺杂单晶及其电导率的测定

来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：f_mei520

【摘要】

：

采用温度下降法在实验室条件下制备了氟化镧{纯LaF3及掺杂(Sm,Eu,Ga)F3、CaF2的LaF3}单晶.用交流电桥法测定了20～100℃范围内这些单晶的离子导电率,得出其离子导电率在10-6Scm

【作者】

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韩元山刘君安沈卫兵王常珍翟玉春田彦文

【机构】

：

东北大学材料与冶金学院

【出处】

：

材料导报

【发表日期】

：

2003年11期

【关键词】

：

温度导向法氟化镧电导率交流电桥法离子晶体 LAF3 temperature decrease lanthanum floride single crys

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采用温度下降法在实验室条件下制备了氟化镧{纯LaF3及掺杂(Sm,Eu,Ga)F3、CaF2的LaF3}单晶.用交流电桥法测定了20～100℃范围内这些单晶的离子导电率,得出其离子导电率在10-6Scm-1数量级.用交流阻抗谱的方法在100～400C范围内、氩气保护下测定了氟化镧{LaF3掺杂1%(Sm,Eu,Ga)F3、2.05%CaF2}单晶及市售氟化镧{LaF3掺杂(0.2%EuF2、5%CaF2)}单晶的阻抗谱,求得单晶离子电导率皆在10-4Scm-1数量级.

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