采用多晶硅场板降低单光子雪崩二极管探测器暗计数

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cccpx918

【摘要】

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针对削弱暗计数噪声对单光子雪崩二极管(single-photon avalanche diode,SPAD)探测器的影响,本文研究了采用多晶硅场板降低SPAD器件暗计数率(dark count rate,DCR)的机理和方

【作者】

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韩冬孙飞阳鲁继远宋福明徐跃

【机构】

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南京邮电大学电子与光学工程学院&,微电子学院,南京邮电大学科研院,射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室

【出处】

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物理学报

【发表日期】

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2020年14期

【关键词】

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单光子雪崩二极管暗计数率多晶硅场板缺陷辅助隧穿 single-photon avalanche diode(SPAD)dark count rate(DC

【基金项目】

：

国家自然科学基金面上项目(批准号:61571235,61871231),江苏省重点研发计划-社会发展面上项目(批准号:BE2019741),江苏省自然科学基金面上项目(批准号:BK20181390),江苏省高校自然科学基金面上项目(批准号:18KJB140008),江苏省研究生创新工程项目(批准号:SJCX19_0272)资助的课题.

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针对削弱暗计数噪声对单光子雪崩二极管(single-photon avalanche diode,SPAD)探测器的影响,本文研究了采用多晶硅场板降低SPAD器件暗计数率(dark count rate,DCR)的机理和方法.基于0.18-μm标准CMOS工艺,在一种可缩小的P+/P阱/深N阱器件结构的P+有源区和浅沟道隔离区(shallow trench isolation,STI)之间淀积了一层多晶硅场板来减小器件暗计数噪声.测试结果表明,多晶硅场板的淀积使SPAD器件的DCR降低了一个数量级,其在高

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